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40V/N沟道PD快充功率MOS
产品描述
40V/N沟道PD快充功率MOS
特征
VDs =40V ID =60A
Ros(oN)(Typ.)= 5.9mΩ @Vcs=10V
Ros(oN)(Typ.)= 8.9mΩ @Vcs=4.5V
低导通电阻RDs(on)
150°C工作温度
100% UIS测试
100% UIS测试!
100% Vds 测试!
应用
DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
PD方案、工业和电机驱动应用
文件下载:
/uploads/soft/211215/1-211215153948.pdf
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